IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs are the 4th generation Trench IGBTs that feature XPT thin-wafer technology. These ultra-low VSAT IGBT transistors support switching frequencies up to 5kHz and are optimized for low conduction losses. The IXYxN120A IGBTs offer advantages such as high power density, a low gate drive requirement, and an operating temperature from -55°C to +175°C. These transistors come in TO-247 and TO-269HV packages, each featuring a voltage of 1200V and a current of 55A or 85A. The IXYxN120A IGBTs are used in applications such as power inverters, motor drives, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, and inrush current protector circuits.

Sonuçlar: 53
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Paket / Kasa Montaj Stili Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı Maksimum Kapı Verici Voltajı 25 C'de Sürekli Kollektör Akımı Pd - Güç Dağılımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Seri Paketleme
IXYS IGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 41 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 27 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 48 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube