Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NVBG080N120SC1

Name: onsemi NVBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG080N120SC1
Price: 9.75 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NVBG080N120SC1

Ürt. Numarası:

NVBG080N120SC1

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Veri Sayfası:

NVBG080N120SC1 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NVBG080N120SC1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.973

Stok:: 1.973 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 13 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	9,75 €	9,75 €
	6,77 €	67,70 €
	5,72 €	572,00 €
	5,71 €	2.855,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
	5,34 €	4.272,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D2PAK-7
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	30 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	110 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.3 V
Qg - Kapı Şarjı:	56 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	179 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	9 ns
İleri İletkenlik - Min:	11 S
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Seri:	NVBG080N120SC1
Fabrika Paket Miktarı:	800
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	21 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	12 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NVBG080N120SC1 Veri Sayfası

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET

onsemi NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET provides superior switching performance and higher reliability than Silicon. This MOSFET has a low ON resistance and compact chip size, ensuring low capacitance and gate charge. onsemi NVBG080N120SC1 MOSFET features high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and reduced system size. Typical applications include automotive onboard chargers and automotive DC/DC converters for EV/HEV.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.