QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı
İşletim Besleme Voltajı
İşletim Besleme Akımı
Kazanç
Tip
Montaj Stili
Teknoloji
Seri
Paketleme
Qorvo RF Amplifikatörleri 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair Stokta Yok
Min.: 100
Çoklu.: 100
: 100

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo RF Amplifikatörleri 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa Stokta Yok
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
: 2.500

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel