QPD0011EVB1 Evaluation Board

Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Sonuç Bulunamadı.
Aşağıdaki arama teriminizi değiştirmeyi deneyin veya Yardım Merkezi'mizi ziyaret edin.
Arama Önerileri
  • Parça numarasının veya anahtar kelimelerin yazımını kontrol edin
  • Daha az veya farklı anahtar kelimeler kullanın
  • Tek seferde 1 parça numarasında arama yapın
  • Tek seferde 1 filtre uygulayın
Ürünler ve Üreticiler
Başka Sorularınız Mı Var?