GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs

ROHM Semiconductor GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs are designed for high-performance power conversion applications. These High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) feature a high breakdown voltage and a low gate charge. The GNP2x GaN HEMTs offer high efficiency, high power density, and fast switching capabilities. These GaN HEMTs feature an 8.5V transient gate-to-source voltage and operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include high switching frequency and high-density converters.

Sonuçlar: 4
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70mO
Veri Sayfası
2.686Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130mO, Pd 91W
Veri Sayfası
2.679Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
Veri Sayfası
1.955Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 98 mOhms - 10 V to + 6.5 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
Veri Sayfası
3.500Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33.8 A 70 mOhms - 10 V, 6.5 V 2.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 187 W Enhancement