MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör - Temel Voltaj VCBO Verici - Temel Voltaj VEBO Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı Pd - Güç Dağılımı Kazanç Bant Genişliği Ürünü fT Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Vasıf Paketleme
Panjit Bipolar Transistörler - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26.735Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolar Transistörler - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29.441Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel