SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

Sonuçlar: 24
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Yapılandırma If - İleri Akım Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj Vf - İleri Voltaj Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı IR - Ters Akım Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Paketleme
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY 97Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A 30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes V=650 IF=8A 7Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY 36Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY 114Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W 28Stokta Var
30Beklenen 1.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY 56Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY 24Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY 67Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY 20Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A 11Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 15Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY 15Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY 60Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A 6Stokta Var
90Beklenen 10.08.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 2A RDL SIC SKY 8Stokta Var
300Beklenen 15.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY 116Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL SIC SKY
200Beklenen 17.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 3A RDL SIC SKY Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes V=650 IF=6A Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL SIC SKY Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube