eMode GaN FET'leri

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Sonuçlar: 12
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu
Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2.445Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2.416Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 2.071Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2.360Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2.488Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 17A FET 2.050Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 17A FET 1.657Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET 1.664Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8072 100V 60A FET 1.559Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8073 150V 28A FET 4.187Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET 645Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 29A FET 14Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement