AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-AFGB30T65RQDN

Ürt. Numarası:

AFGB30T65RQDN

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

AFGB30T65RQDN Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi AFGB30T65RQDN hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 560

Stok:: 560 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 17 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,69 €	3,69 €
	2,43 €	24,30 €
	1,81 €	181,00 €
	1,62 €	810,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
	1,43 €	1.144,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	IGBTs
RoHS:
Teknoloji:	Si
Paket / Kasa:	D2PAK-3
Montaj Stili:	SMD/SMT
Yapılandırma:	Single
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	650 V
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	1.58 V
Maksimum Kapı Verici Voltajı:	20 V, 30 V
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı:	68 A
Pd - Güç Dağılımı:	235.48 W
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	AFGB30T65RQDN
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Ürün Tipi:	IGBTs
Fabrika Paket Miktarı:	800
Alt kategori::	Transistors

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

AFGB30T65RQDN Veri Sayfası

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.