Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-SISD5300DN-T1-GE3

Ürt. Numarası:

SISD5300DN-T1-GE3

Ürt.:

Vishay / Siliconix

Açıklama:

MOSFET'ler PPAK1212 N-CH 30V 62A

Veri Sayfası:

SISD5300DN-T1-GE3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay / Siliconix SISD5300DN-T1-GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 4.418

Stok:: 4.418 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	2,06 €	2,06 €
	1,32 €	13,20 €
	0,912 €	91,20 €
	0,724 €	362,00 €
	0,699 €	699,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,603 €	1.809,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerPAK 1212-F-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	30 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	198 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	870 uOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2 V
Qg - Kapı Şarjı:	27 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	57 W
Kanal Modu:	Enhancement
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Vishay / Siliconix
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	15 ns
İleri İletkenlik - Min:	162 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	90 ns
Seri:	SISD
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	32 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	26 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SISD5300DN-T1-GE3 Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET utilizing source flip technology that enhances thermal performance. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, SiSD5300DN features a very low drain-source resistance and gate charge figure of merit (FOM). Applications include DC/DC converters, synchronous rectification, battery management, O-rings, and load switches.