Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 150.37 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-H008T120M3F2PTHG

Ürt. Numarası:

NXH008T120M3F2PTHG

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

MOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Veri Sayfası:

NXH008T120M3F2PTHG Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NXH008T120M3F2PTHG hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	SiC
Montaj Stili:	Press Fit
Paket / Kasa:	PIM-29
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	129 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	8.5 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.8 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	371 W
Seri:	NXH008T120M3F2PTHG
Paketleme:	Tray
Marka:	onsemi
Düşüş Zamanı:	15 ns
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	20.6 ns
Fabrika Paket Miktarı:	20
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	EliteSiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	137 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	41.5 ns
Vf - İleri Voltaj:	4.8 V

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NXH008T120M3F2PTHG Veri Sayfası (PDF)

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Çin

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module

onsemi NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module is a T-type neutral point clamped converter (TNPC) module based on 1200V M3S Planer SiC MOSFETs. NXH008T120M3F2PTHG is optimized for fast-switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This module exhibits optimum performance when driven with a 20V gate drive but also works well with an 18V gate drive.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

Features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package.

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module hakkında daha fazla bilgi

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Contains 8mΩ, 10mΩ, 15mΩ, and 30mΩ/1200V M3S MOSFETs based on half-bridge topology.

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules hakkında daha fazla bilgi

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

Part of VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power modules for EV/HEV traction inverter applications.

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules hakkında daha fazla bilgi

NXV08H350XT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

NXV08H350XT1 MOSFET Module hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 24

Stok:: 24

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 40

Beklenen 11.01.2027

40

Belirlenecek
Fabrika Teslim Süresi:: 47

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	150,37 €	150,37 €
	130,02 €	1.300,20 €

NXH008T120M3F2PTHG

Ürt.: onsemi

Açıklama: MOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Teknik Özellikler

Belgeler (1)

Veri Sayfası

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module

Energy Storage Solutions

M3S EliteSiC MOSFETs

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER ONSEMI

Stokta Var: 24

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

MOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI