Sonuçlar: 41
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Paketleme
IXYS MOSFET'ler TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET'ler 0.5 Amps 1000V Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET'ler 24 Amps 1000V Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 27 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET'ler 2 Amps 1000V 7 Rds Stokta Yok
Min.: 300
Çoklu.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 13 Amps 800V Stokta Yok
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 14 Amps 800V 0.7 Rds Stokta Yok
Min.: 30
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 20 Amps 600V 0.35 Rds Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 28 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 40 Amps 300V 0.085 Rds Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 44 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 50 Amps 200V 0.045 Rds Stokta Yok
Min.: 30
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 45 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 5 Amps 1000V 2 Rds Stokta Yok
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler 67 Amps 100V 0.025 Rds Stokta Yok
Min.: 30
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET'ler STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A Stokta Yok
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET'ler 33 Amps 500V 0.17 Rds Stokta Yok
Min.: 300
Çoklu.: 300

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET'ler 1.5 Amps 1000V 11 Rds Stokta Yok
Min.: 300
Çoklu.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET'ler 75 Amps 100V 0.02 Rds Stokta Yok
Min.: 30
Çoklu.: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS IXTQ3N150M
IXYS MOSFET'ler TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube