NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs optimized for fast switching applications. The onsemi NTHL022N120M3S features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. The MOSFETs have optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan

onsemi SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Veri Sayfası
323Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Veri Sayfası
682Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Veri Sayfası
590Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC