SIHH070N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHH070N60EFT1GE3
SIHH070N60EF-T1GE3

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Vishay / Siliconix SIHH070N60EF-T1GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 3.119

Stok:
3.119 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
2 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ †
6,79 € 6,79 €
4,28 € 42,80 €
3,67 € 367,00 €
3,53 € 1.765,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
2,73 € 8.190,00 €
6.000 Fiyat Teklifi
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Vishay
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8 x 8
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
71 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
202 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: IL
Düşüş Zamanı: 38 ns
İleri İletkenlik - Min: 10.5 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 79 ns
Seri: SIHH EF
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 55 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 36 ns
Birim Ağırlık: 50 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiHH070N60EF Power MOSFET

Vishay SiHH070N60EF Power MOSFET features 4th generation E series technology, low Figure-of-Merit (FOM), and low effective capacitance. This power MOSFET is avalanche energy rated (UIS) and reduces switching and conduction losses. Typical applications include server and telecom power supplies, switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction (PFC) power supplies, motor drives, battery chargers, and welding.

4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R(DS)ON) multiplied by gate charge (Qg). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at VGS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co(er) and Co(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.