TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

Sonuçlar: 29
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Paketleme
Vishay / Siliconix MOSFET'ler PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
20.825Beklenen 3.06.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET'ler N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
15.000Beklenen 3.06.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET'ler PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
8.281Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET'ler PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
8.975Beklenen 2.09.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 1.2 mOhms - 12 V, 16 V 4.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel