QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier

Qorvo QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı
İşletim Besleme Voltajı
İşletim Besleme Akımı
Kazanç
Tip
Montaj Stili
Teknoloji
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Seri
Paketleme
Qorvo RF Amplifikatörleri 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Veri Sayfası
72Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Bag
Qorvo RF Amplifikatörleri 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 250
Çoklu.: 250
Makara: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Reel