SUM40014M-GE3

Vishay / Siliconix
78-SUM40014M-GE3
SUM40014M-GE3

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler TO263 N-CH 40V 200A

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 4.445

Stok:
4.445 Hemen Gönderilebilir
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,82 € 3,82 €
2,53 € 25,30 €
1,79 € 179,00 €
1,78 € 890,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
1,56 € 1.248,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Vishay
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
990 uOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
182 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
ThunderFET
Reel
Cut Tape
Marka: Vishay / Siliconix
Düşüş Zamanı: 35 ns
İleri İletkenlik - Min: 140 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 10 ns
Fabrika Paket Miktarı: 800
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: ThunderFET Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 100 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 20 ns
Birim Ağırlık: 1,600 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SUM40014M N-Channel 40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET provides 40VDS drain-source voltage in a single-configuration D2PAK package with ThunderFET® power. The MOSFET utilizes a lead-free and RoHS-compliant design and is 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET is suitable for use in DC/DC converters, battery management applications, power tools, and motor drive switches.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.