Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 31.8 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NTH4L028N170M1

Ürt. Numarası:

NTH4L028N170M1

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

Veri Sayfası:

NTH4L028N170M1 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NTH4L028N170M1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 128

Stok:: 128

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 450

Beklenen 20.02.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 18

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	31,80 €	31,80 €
	23,62 €	236,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.7 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	81 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	40 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.3 V
Qg - Kapı Şarjı:	200 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	535 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	13 ns
İleri İletkenlik - Min:	31 S
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	18 ns
Seri:	NTH4L028N170M1
Fabrika Paket Miktarı:	450
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	121 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	47 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NTH4L028N170M1 Veri Sayfası

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET

Onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET, enerji altyapısı ve endüstriyel sürücü uygulamaları için güvenilir, yüksek verimlilikte performans sunmaktadır. onsemi EliteSiC MOSFET, negatif kapı gerilimi sürücüleri ile güvenilir bir şekilde çalışan ve kapıda ani kapanmaları önleyen düzlem teknolojisi ile donatılmıştır. Bu cihaz, 20V geçit sürücüsü ile çalıştırıldığında optimum performans sergilemekte ancak 18V geçit sürücüsü ile de iyi çalışmaktadır.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.