TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

Sonuçlar: 11
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Paketleme
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ 991Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ 2.495Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC 156Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC 121Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 79Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF 19Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
89Beklenen 15.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 18 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel