PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Qrr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of TVJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient VCEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Paket / Kasa
Montaj Stili
Yapılandırma
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı
Maksimum Kapı Verici Voltajı
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı
Pd - Güç Dağılımı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Paketleme
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Veri Sayfası
900Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
Veri Sayfası
834Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube