STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Yapılandırma
If - İleri Akım
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj
Vf - İleri Voltaj
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı
IR - Ters Akım
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Vasıf
Paketleme
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
Veri Sayfası
525Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Veri Sayfası
5Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube