CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to bridge the gap between 200V Si trench MOSFETs and 600V Si Super junction (SJ) MOSFETs. These MOSFETs deliver outstanding power density and system efficiency in 2 and 3-level using hard and soft-switching topologies. The CoolSiC™ MOSFETs feature 440V blocking voltage, 4.5V gate threshold voltage, and low RDS(ON) temperature dependency. These MOSFETs combine high robustness with ultra-low switching losses and on-state resistance. Typical applications include power Artificial Intelligence (AI), high-power SMPS for server, datacenter, and telecom rectifiers.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
Infineon Technologies MOSFET'ler SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.530Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET'ler SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.791Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET'ler SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.787Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W CoolSiC Reel, Cut Tape