STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Tüm Sonuçlar (2)

Filtreleme seçeneklerini görmek ve aramanızı daraltmak için aşağıdan bir kategori seçin.
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS
STMicroelectronics Kapı Sürücüleri High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
1.000Beklenen 25.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches Stokta Yok
Min.: 4.900
Çoklu.: 4.900