DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

Sonuçlar: 19
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
Veri Sayfası
4.913Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Veri Sayfası
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
Veri Sayfası
45Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
665Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
94Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
84Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
39Stokta Var
60Beklenen 20.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Veri Sayfası
72Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
Veri Sayfası
34Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
46Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
98Beklenen 15.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
60Beklenen 20.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Veri Sayfası
60Beklenen 20.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
5Beklenen 20.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET'ler 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel