Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SIS176LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS176LDN-T1-GE3
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-SIS176LDN-T1-GE3

Ürt. Numarası:

SIS176LDN-T1-GE3

Ürt.:

Vishay / Siliconix

Açıklama:

MOSFET'ler PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

Veri Sayfası:

SIS176LDN-T1-GE3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay / Siliconix SIS176LDN-T1-GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 24.949

Stok:: 24.949

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 6.000

Beklenen 11.03.2027
Fabrika Teslim Süresi:: 28

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,44 €	1,44 €
	0,912 €	9,12 €
	0,605 €	60,50 €
	0,475 €	237,50 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,44 €	1.320,00 €
	0,39 €	2.340,00 €
	0,378 €	3.402,00 €
	0,37 €	8.880,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerPAK 1212-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	70 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	42.3 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	10.9 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.6 V
Qg - Kapı Şarjı:	12.6 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	39 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	TrenchFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	6 ns
İleri İletkenlik - Min:	60 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	6 ns
Seri:	SIS
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	25 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	10 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SIS176LDN-T1-GE3 Veri Sayfası

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs utilize TrenchFET® Gen IV power MOSFET technology. The SiS176LDN MOSFETs feature very low R_DS Q_g figure-of-merit (FOM) and are tuned for the lowest R_DS Q_oss FOM. The Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs are ideal for synchronous rectification, primary-side switch, DC/DC converter, and motor drive switch applications.

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.