TP65H070G4PS

Renesas Electronics
227-TP65H070G4PS
TP65H070G4PS

Ürt.:

Açıklama:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Renesas Electronics TP65H070G4PS hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Renesas Electronics
Ürün Kategorisi: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.7 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
GaN
Marka: Renesas Electronics
Düşüş Zamanı: 7.2 ns
Paketleme: Reel
Paketleme: Cut Tape
Ürün Tipi: GaN FETs
Yükseliş zamanı: 6.2 ns
Seri: Gen IV SuperGaN
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 56 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 43.4 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Filipinler
Montaj Ülkesi:
Filipinler
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. The TP65H070G4PS combines high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in a three-lead TO-220 package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 26W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN platform from Renesas Electronics uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.

Stokta Var: 845

Stok:
845 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,92 € 6,92 €
3,93 € 39,30 €
3,60 € 360,00 €
3,04 € 1.520,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
3,04 € 3.040,00 €
3,03 € 6.060,00 €
5.000 Fiyat Teklifi

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.