High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Sonuçlar: 7
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı 25 C'de Sürekli Kollektör Akımı Kapı Verici Kaçak Akımı Pd - Güç Dağılımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL3 12Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL1 9Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL2 7Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL1 9Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL3 4Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL2 6Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modülleri PM-IGBT-SBD-BL2
3Beklenen 9.03.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C