NDSH50120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH50120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH50120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Yapılandırma
If - İleri Akım
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj
Vf - İleri Voltaj
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı
IR - Ters Akım
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Seri
Paketleme

onsemi SiC Schottky Diodes Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Veri Sayfası
463Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C Tube
onsemi SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Veri Sayfası
441Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 53 A 1.2 kV 1.4 V 1.568 kA 12.2 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C-F155 Tube