HMC8500 RF Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC8500 RF Amplifiers are gallium nitride (GaN), broadband power amplifiers. The amplifiers deliver >10W with up to 55% power added efficiency (PAE) and ±1.0dB typical gain flatness across a 0.01GHz to 2.8GHz instantaneous bandwidth. The HMC8500 series provides a 41dBm high-saturated output power from a 28V at 100mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a 4.5dB noise figure, 47dBM third-order intercept (OIP3), and 10dB return loss.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı
İşletim Besleme Voltajı
İşletim Besleme Akımı
Kazanç
NF - Gürültü Figürü
Tip
Montaj Stili
Paket / Kasa
Teknoloji
OIP3 - Üçüncü Dereceden Kesişme
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Seri
Paketleme
Analog Devices RF Amplifikatörleri High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Veri Sayfası
Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifikatörleri High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 500
Çoklu.: 500
Makara: 500

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Reel