Sonuçlar: 38
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
Infineon Technologies MOSFET'ler N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Veri Sayfası
836Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
276Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
207Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
283Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
242Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
499Beklenen 6.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 342 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER_LEGACY
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
Teslimat Süresi 8 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET'ler HIGH POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 39 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET'ler LOW POWER PRICE/PERFORM
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 39 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19.2 A 189 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Reel