IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Paket / Kasa
Montaj Stili
Yapılandırma
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı
Maksimum Kapı Verici Voltajı
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı
Pd - Güç Dağılımı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Seri
Paketleme
IXYS IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Veri Sayfası
300Beklenen 13.08.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 48 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube