FS50R12W2T7 & FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies FS50R12W2T7 and FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules are 1200V three-phase input rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor Modules. Based on TRENCHSTOP™ IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode technology, these devices provide strongly reduced losses and are highly controllable. These modules are specially optimized for industrial drive applications, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained with an operation overload temperature up to +175°C in the power module. 

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı 25 C'de Sürekli Kollektör Akımı Kapı Verici Kaçak Akımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Paketleme
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 50 A sixpack IGBT module Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 75 A sixpack IGBT module Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray