Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-SISH892BDN-T1-GE3

Ürt. Numarası:

SISH892BDN-T1-GE3

Ürt.:

Vishay / Siliconix

Açıklama:

MOSFET'ler PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Veri Sayfası:

SISH892BDN-T1-GE3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay / Siliconix SISH892BDN-T1-GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerPAK-1212-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	20 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	30.4 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.4 V
Qg - Kapı Şarjı:	17.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	29 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	TrenchFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	4 ns
İleri İletkenlik - Min:	33 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	5 ns
Seri:	SISH
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	19 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	9 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET^® Gen IV power MOSFET featuring 100% R_g and UIS tested. The SISH892BDN MOSFET offers a 100V V_DS, 20A I_D, and 8nC Q_g. The Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET is available in a PowerPAK® 1212-8SH package and has an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

VISHAY

SiJK5100E N-Channel MOSFET

TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation.

SiJK5100E N-Channel MOSFET hakkında daha fazla bilgi

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Comes in a PowerPAK^® 8mm x 8mm BWL package with an on-resistance of 0.00115Ω.

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET hakkında daha fazla bilgi

SiJK140E N-Kanal 40 V (D-S) MOSFET

Features TrenchFET^® Gen V power technology ideal for synchronous rectification and automation.

SiJK140E N-Kanal 40 V (D-S) MOSFET hakkında daha fazla bilgi

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Features power technology, optimizes efficiency, and minimizes power loss during conduction.

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12 hakkında daha fazla bilgi

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_{DS x}Q_g figure-of-merit (FOM).

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 33.773

Stok:: 33.773 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,26 €	1,26 €
	0,589 €	5,89 €
	0,524 €	52,40 €
	0,409 €	204,50 €
	0,404 €	404,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,366 €	1.098,00 €
	0,347 €	3.123,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

SISH892BDN-T1-GE3

Ürt.: Vishay / Siliconix

Açıklama: MOSFET'ler PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Teknik Özellikler

Belgeler (7)

Veri Sayfası

PCN

Technical Resources

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER VISHAY

Stokta Var: 33.773

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

Vishay / Siliconix

Açıklama:

MOSFET'ler PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

VISHAY