Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

GCMS080C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080C120S1-E1
Price: 26.08 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

148-GCMS080C120S1-E1

Ürt. Numarası:

GCMS080C120S1-E1

Ürt.:

SemiQ

Açıklama:

MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

GCMS080C120S1-E1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SemiQ GCMS080C120S1-E1 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SemiQ
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	SiC
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	SOT-227-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	28 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	100 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	118 W
Seri:	GCMS
Paketleme:	Tube
Marka:	SemiQ
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	31 ns
Yükseklik:	12.19 mm
Uzunluk:	38.1 mm
Ürün:	Power Modules
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	4 ns
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	20 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	11 ns
Vf - İleri Voltaj:	2.27 V
Genişlik:	25.3 mm

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GCMS080C120S1-E1 Veri Sayfası (PDF)

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Tayvan
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

GEN3 1.200 V SiC MOSFET Güç Modülleri

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.