GP3T020A120H

Name: SemiQ GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T020A120H
Price: 10 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

148-GP3T020A120H

Ürt. Numarası:

GP3T020A120H

Ürt.:

SemiQ

Açıklama:

SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

GP3T020A120H Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SemiQ GP3T020A120H hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 55

Stok:: 55

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 60

Beklenen 18.02.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 18

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	10,00 €	10,00 €
	6,07 €	60,70 €
	5,18 €	621,60 €
	5,08 €	2.590,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SemiQ
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4L
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	280 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	25 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	234 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	429 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	SemiQ
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	18 ns
İleri İletkenlik - Min:	24 S
Paketleme:	Tube
Ürün:	MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	25 ns
Seri:	GP3T
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	SiC MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	59 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	19 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GP3T020A120H Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GEN3 1.200 V SiC MOSFET Ayrık Cihazlar

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.