MASTERGAN7TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN7TR
MASTERGAN7TR

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Siparişte:
1.000
Fabrika Teslim Süresi:
26
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 50
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
5,98 € 5,98 €
4,58 € 45,80 €
4,23 € 105,75 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
4,23 € 12.690,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-35
2 Driver
9 V
18 V
5 ns
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN7
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Input Voltage - Max: 18 V
Input Voltage - Min: 9 V
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Birim Ağırlık: 150 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Uyumluluk Kodları
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Singapur
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.