FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Infineon Technologies
726-FF8MR12W1M1HB11B
FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Ürt.:

Açıklama:
Ayrık Yarı İletken Modüller CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 402

Stok:
402 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
10 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
96,67 € 96,67 €
81,21 € 812,10 €
73,19 € 8.782,80 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: Ayrık Yarı İletken Modüller
RoHS:  
Half Bridge
Si
Tray
Marka: Infineon Technologies
Ürün Tipi: Discrete Semiconductor Modules
Fabrika Paket Miktarı: 24
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Ticari Unvan: EasyDUAL
Parça No Takma Adları: FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.