Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IGC033S101XTMA1

Name: Infineon IGC033S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S101XTMA1
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IGC033S101XTMA1

Ürt. Numarası:

IGC033S101XTMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IGC033S101XTMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IGC033S101XTMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 5.405

Stok:: 5.405 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,65 €	3,65 €
	2,49 €	24,90 €
	1,97 €	197,00 €
	1,67 €	835,00 €
	1,54 €	1.540,00 €
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
	1,34 €	6.700,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PG-VSON-6
Transistör Polaritesi:	HEMT
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	76 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	3.3 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.9 V
Qg - Kapı Şarjı:	11 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	45 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün:	Transistors
Ürün Tipi:	GaN FETs
Seri:	100V G3
Fabrika Paket Miktarı:	5000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	1 P-Channel
Tip:	CoolGaN Transistor
Parça No Takma Adları:	IGC033S101 SP005751570

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IGC033S101XTMA1 Veri Sayfası (PDF)

Models

IGC033S101XTMA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.