Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IGLD65R110D2AUMA

Ürt. Numarası:

IGLD65R110D2AUMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IGLD65R110D2AUMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IGLD65R110D2AUMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 2.696

Stok:: 2.696 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,84 €	3,84 €
	2,56 €	25,60 €
	1,97 €	197,00 €
	1,75 €	875,00 €
	1,66 €	1.660,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	1,42 €	4.260,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PG-LSON-8
Transistör Polaritesi:	HEMT
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	20 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	140 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	2.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	51 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	20 ns
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün:	GaN Transistors
Ürün Tipi:	GaN FETs
Yükseliş zamanı:	7 ns
Seri:	650 V G5
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	10 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	8 ns
Parça No Takma Adları:	IGLD65R110D2 SP005918714

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IGLD65R110D2AUMA1 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.