Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 13.04 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IMT40R011M2HXTMA

Ürt. Numarası:

IMT40R011M2HXTMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IMT40R011M2HXTMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IMT40R011M2HXTMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 996

Stok:: 996 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	13,04 €	13,04 €
	10,09 €	100,90 €
	9,34 €	934,00 €
Tam Makara (2000'in katları olarak sipariş verin)
	8,18 €	16.360,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	HSOF-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	400 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	144 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	16.3 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	85 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	429 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	9.3 ns
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün:	SiC MOSFETS
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	18.3 ns
Fabrika Paket Miktarı:	2000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tip:	G2 MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	29.8 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	15.8 ns
Parça No Takma Adları:	IMT40R011M2H SP005915790

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IMT40R011M2HXTMA1 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.