GNP2130TEC-1-EVK-001

ROHM Semiconductor
755-GNP2130TEC1EVK00
GNP2130TEC-1-EVK-001

Ürt.:

Açıklama:
Güç Yönetimi IC Geliştirme Araçları EVK has been released to evaluate the switching performance.

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.

Stokta Var: 3

Stok:
3 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
12 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
553,41 € 553,41 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi: Güç Yönetimi IC Geliştirme Araçları
Evaluation Boards
90 VAC to 264 VAC
24 V
DFN8080
Marka: ROHM Semiconductor
İle kullanmak için: GaN HEMT
Ürün Tipi: Power Management IC Development Tools
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: Development Tools
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:
8541290095
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

GNP2130TEC-1-EVK-001 Evaluation Kit

ROHM Semiconductor GNP2130TEC-1-EVK-001 Evaluation Kit is a high-performance platform designed to evaluate the GNP2130TCA 650V enhancement-mode GaN HEMT optimized for fast switching and high-efficiency power conversion. This ROHM Semiconductor evaluation kit is tailored for hard-switching applications, such as totem-pole power factor correction (PFC) circuits, where GaN’s low gate charge and zero reverse recovery significantly reduce switching losses and improve overall system efficiency. The GNP2130TEC-1-EVK-001 kit supports high-frequency operation and allows users to assess key performance metrics, including switching behavior, thermal characteristics, and EMI performance. Ideal for industrial power supplies, telecom infrastructure, and renewable energy systems, the GNP2130TEC-1-EVK-001 enables the development of compact, high-density power designs that leverage the advantages of GaN technology.