Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

A5G35S008N-3400

Name: NXP A5G35S008N-3400
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-A5G35S008N-3400
Price: 148.15 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

771-A5G35S008N-3400

Ürt. Numarası:

A5G35S008N-3400

Ürt.:

NXP Semiconductors

Açıklama:

RF Geliştirme Araçları A5G35S008N 3400-3600 MHz Reference Circuit

Daha Fazla Bilgi

NXP Semiconductors A5G35S008N-3400 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 1 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	148,15 €	148,15 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	NXP
Ürün Kategorisi:	RF Geliştirme Araçları
RoHS:	N
Ürün:	Evaluation Boards
Tip:	RF Transistor
Araç Şunun Değerlendirilmesi İçindir:	A5G35S008N
Marka:	NXP Semiconductors
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Ürün Tipi:	RF Development Tools
Seri:	A5G35S008N
Fabrika Paket Miktarı:	1
Alt kategori::	Development Tools
Parça No Takma Adları:	935436622598

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

A5G35S008N Evaluation Board

NXP Semiconductors A5G35S008N Evaluation Board is used with the A5G35S008N Airfast RF Power GaN Transistor. The board is a driver for 32T discrete mMIMO solutions. It has a 48V GaN discrete transistor, 3300-4000MHz, and a 40dBm peak (10W).