MRFE6VS25GN-960

NXP Semiconductors
771-MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GN-960

Ürt.:

Açıklama:
RF Geliştirme Araçları MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit

Stokta Var: 2

Stok:
2 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
1 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
1.354,49 € 1.354,49 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
NXP
Ürün Kategorisi: RF Geliştirme Araçları
RoHS:  
Reference Design Boards
RF Transistor
MRFE6VS25N
960 MHz to 1.215 GHz
Marka: NXP Semiconductors
İşletim Besleme Voltajı: 50 V
Ürün Tipi: RF Development Tools
Seri: MRFE6VS25N
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: Development Tools
Parça No Takma Adları: 935392203598
Birim Ağırlık: 453,592 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:
9030908050
ECCN:
EAR99

RF Reference Circuits

NXP Semiconductors RF Reference Circuits are ease of use solutions designed to accelerate prototyping RF applications for faster time to market. These compact reference circuits offer design reuse across frequencies using the same PCB layout, enabling RF designers to quickly generate new power amplifier designs for multiple frequencies.

MRFE6VS25GN Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFE6VS25GN Reference Circuit is designed to allow rapid evaluation and prototyping of the MRFE6VS25 RF Power LDMOS Transistor. The MRFE6VS25 is designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast, and aerospace applications operating at frequencies from 1.8MHz to 2000MHz. These devices are fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications with high VSWRs.