AS4C64M16D1A-6BIN

Name: Alliance Memory AS4C64M16D1A-6BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C64M16D1A6BIN
Price: 28.89 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

913-AS4C64M16D1A6BIN

Ürt. Numarası:

AS4C64M16D1A-6BIN

Ürt.:

Alliance Memory

Açıklama:

DRAM DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 60-BALL BGA, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray

Veri Sayfası:

AS4C64M16D1A-6BIN Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Alliance Memory AS4C64M16D1A-6BIN hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 5

Stok:: 5 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

5'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	28,89 €	28,89 €
	26,74 €	267,40 €
	25,89 €	647,25 €
	25,25 €	1.262,50 €
	24,86 €	2.486,00 €
	23,79 €	5.709,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Alliance Memory
Ürün Kategorisi:	DRAM
RoHS:
Tip:	SDRAM - DDR
Bellek Boyutu:	1 Gbit
Veri Yolu Genişliği:	16 bit
Maksimum Saat Frekansı:	166 MHz
Paket / Kasa:	FBGA-60
Kurum:	64 M x 16
Erişim süresi:	700 ps
Besleme Voltajı - Min:	2.3 V
Besleme Voltajı - Maks:	2.7 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Seri:	AS4C64M16D1A
Paketleme:	Tray
Marka:	Alliance Memory
Neme Duyarlı:	Yes
Montaj Stili:	SMD/SMT
Ürün Tipi:	DRAM
Fabrika Paket Miktarı:	240
Alt kategori::	Memory & Data Storage
Besleme Akımı - Maks:	180 mA

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

AS4C64M16D1A-6BIN Veri Sayfası (PDF)

CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320032
ECCN:: EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.