IS66WVH8M8BLL-100B1LI

ISSI
870-WVH8M8BLL100B1LI
IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Ürt.:

Açıklama:
DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 781

Stok:
781
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
480
Beklenen 17.04.2026
Fabrika Teslim Süresi:
14
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 423
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,58 € 4,58 €
4,21 € 42,10 €
4,09 € 102,25 €
3,99 € 199,50 €
3,90 € 390,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ISSI
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
64 Mbit
8 bit
100 MHz
TFGBA-24
8 M x 8
40 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS66WVH8M8BLL
Marka: ISSI
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 480
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Akımı - Maks: 35 mA
Ticari Unvan: HyperRAM
Birim Ağırlık: 84 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.