RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

Ürt.:

Açıklama:
RF MOSFET Transistörler 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 100   Çoklu: 100
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (100'in katları olarak sipariş verin)
128,35 € 12.835,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: RF MOSFET Transistörler
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
Reel
Marka: STMicroelectronics
Kanal Sayısı: 1 Channel
Ürün Tipi: RF MOSFET Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 100
Alt kategori:: MOSFETs
Tip: RF Power MOSFET
Birim Ağırlık: 2,400 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.