STH410N4F7-6AG

STMicroelectronics
511-STH410N4F7-6AG
STH410N4F7-6AG

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 701

Stok:
701 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
4,82 € 4,82 €
3,22 € 32,20 €
2,59 € 259,00 €
2,30 € 1.150,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
1,86 € 1.860,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-6
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 150 C
365 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 44.2 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 198 ns
Seri: STH410N4F7-6AG
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 108 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 35 ns
Birim Ağırlık: 1,380 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low RDS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.