JDV2S41AFS,L3M
Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
757-JDV2S41AFSL3M
JDV2S41AFS,L3M
Ürt.:
Açıklama:
Varaktör Diyotlar Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Varaktör Diyotlar Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Yaşam Döngüsü:
Mouser'da Yeni
Veri Sayfası:
Stok Durumu
-
Stok:
-
0Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
-
Siparişte:
-
36Beklenen 14.09.2026
-
Fabrika Teslim Süresi:
-
15Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Fiyatlandırma (EUR)
| Miktar | Birim Fiyat |
Toplam Fiyat
|
|---|---|---|
| 1,51 € | 1,51 € | |
| 0,929 € | 9,29 € | |
| 0,615 € | 61,50 € | |
| 0,483 € | 241,50 € | |
| 0,413 € | 413,00 € | |
| 0,374 € | 935,00 € | |
| 0,332 € | 1.660,00 € | |
| 0,321 € | 3.210,00 € | |
| 0,313 € | 7.825,00 € |
Veri Sayfası
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
Uyumluluk Kodları
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
- Menşe Ülke:
- Tayland
- Montaj Ülkesi:
- Stokta yok
- Dağıtım Ülkesi:
- Stokta yok
