IRFB4620PBFXKMA1

Infineon Technologies
726-IRFB4620PBFXKMA1
IRFB4620PBFXKMA1

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler IR FET >60-400V

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
19 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1000   Çoklu: 1000
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
0,802 € 802,00 €
0,762 € 1.524,00 €
0,737 € 3.685,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
200 V
25 A
72.5 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
144 W
Enhancement
Tube
Marka: Infineon Technologies
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 14.8 ns
İleri İletkenlik - Min: 37
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 22.4 ns
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 25.4 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13.4 ns
Parça No Takma Adları: IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.