TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Transistör Çeşitleri

Kategori görünümünü değiştir
Sonuçlar: 16
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS Ürün Tipi Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 1.435Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY 1.290Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 615Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 994Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 1.795Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 279Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 401Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 382Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode 720Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT Modülleri 650 V, 40 A 3-level IGBT module 9Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 240
Çoklu.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 240
Çoklu.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4